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IXTU12N06T
IXTY12N06T
10
9
8
Fig. 7. Input Admittance
6
5
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
7
4
25oC
6
5
4
3
150oC
3
2
1
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
2
1
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
30
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 30V
25
20
15
8
7
6
5
I D = 6A
I G = 10mA
10
5
0
T J = 150oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
1,000
100
10
1
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
10.0
1.0
0.1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Second
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